IGBT Ic 40 A Uce 600 V TO-247A Pojedynczy kanał: N 178,5 W
- Nr art. RS:
- 124-3701
- Nr części producenta:
- RJH60F3DPQ-A0#T0
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
15,61 zł
(bez VAT)
19,19 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 4 | 15,61 zł | 31,21 zł |
| 6 - 10 | 14,79 zł | 29,57 zł |
| 12 - 48 | 13,97 zł | 27,93 zł |
| 50 - 98 | 12,01 zł | 24,02 zł |
| 100 + | 11,41 zł | 22,82 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-3701
- Nr części producenta:
- RJH60F3DPQ-A0#T0
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Dyskrety IGBT, Renesas Electronics
.
Dyskretne moduły IGBT i moduły
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 40 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±30V |
| Maksymalna strata mocy | 178,5 W |
| Typ opakowania | TO-247A |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.94 x 5.02 x 21.13mm |
| Pojemność bramki | 1260pF |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 124-3701
- Nr części producenta:
- RJH60F3DPQ-A0#T0
- Producent:
- Renesas Electronics