IGBT Ic 40 A Uce 650 V TO-3PN Pojedynczy kanał: N 349 W
- Nr art. RS:
- 145-4447
- Nr części producenta:
- FGA40N65SMD
- Producent:
- onsemi
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
13,69 zł
(bez VAT)
16,83 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 30 | 13,69 zł | 410,55 zł |
| 60 + | 12,86 zł | 385,86 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 145-4447
- Nr części producenta:
- FGA40N65SMD
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 40 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 650 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 349 W |
| Typ opakowania | TO-3PN |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 16.2 x 5 x 20.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 145-4447
- Nr części producenta:
- FGA40N65SMD
- Producent:
- onsemi