- Nr art. RS:
- 145-9280
- Nr części producenta:
- IGP30N60H3XKSA1
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 145-9280
- Nr części producenta:
- IGP30N60H3XKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V.
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
Zakres napięć kolektora-emitera od 600 do 650V.
Bardzo niskie VCEsat
Niskie straty związane z wyłączeniem
Krótki prąd zwrotny
Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
Bardzo niskie VCEsat
Niskie straty związane z wyłączeniem
Krótki prąd zwrotny
Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 187 W |
Typ opakowania | TO-220AB |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Szybkość przełączania | 1MHz |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 10.36 x 4.57 x 15.95mm |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
- Nr art. RS:
- 145-9280
- Nr części producenta:
- IGP30N60H3XKSA1
- Producent:
- Infineon