IGBT Ic 120 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 378 W
- Nr art. RS:
- 146-1984
- Nr części producenta:
- FGH60N60SFTU
- Producent:
- ON Semiconductor
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 146-1984
- Nr części producenta:
- FGH60N60SFTU
- Producent:
- ON Semiconductor
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 120 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 378 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 146-1984
- Nr części producenta:
- FGH60N60SFTU
- Producent:
- ON Semiconductor