IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- Nr art. RS:
- 166-0979
- Nr części producenta:
- IHW30N135R3FKSA1
- Producent:
- Infineon
30 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
16,91 zł
(bez VAT)
20,80 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 30 | 16,91 zł | 507,39 zł |
| 60 - 120 | 16,07 zł | 482,01 zł |
| 150 - 270 | 15,39 zł | 461,70 zł |
| 300 - 570 | 14,71 zł | 441,42 zł |
| 600 + | 13,70 zł | 411,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 166-0979
- Nr części producenta:
- IHW30N135R3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposażonych w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
• Zakres napięcia kolektora od 1100 do 1600 V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 30 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1350 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 349 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Pojemność bramki | 2066pF |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
- Nr art. RS:
- 166-0979
- Nr części producenta:
- IHW30N135R3FKSA1
- Producent:
- Infineon