- Nr art. RS:
- 166-2181
- Nr części producenta:
- FGA60N65SMD
- Producent:
- onsemi
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
19,63 zł
(bez VAT)
24,14 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
30 - 90 | 19,63 zł | 588,81 zł |
120 - 240 | 17,25 zł | 517,56 zł |
270 - 480 | 16,84 zł | 505,20 zł |
510 + | 14,96 zł | 448,65 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 166-2181
- Nr części producenta:
- FGA60N65SMD
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 120 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 650 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 600 W |
Typ opakowania | TO-3PN |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 15.8 x 5 x 20.1mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |