- Nr art. RS:
- 168-4799
- Nr części producenta:
- 7MBP50VDA-060-50
- Producent:
- Fuji Electric
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w opak. á 20)
295,04 zł
(bez VAT)
362,90 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Box* |
20 + | 295,04 zł | 5 900,76 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 168-4799
- Nr części producenta:
- 7MBP50VDA-060-50
- Producent:
- Fuji Electric
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Moduł zasilania IGBT, serii V, Fuji Electric (Inteligentny moduł zasilania)
Fuji Electric V-series Intelligent Power Module (IPM) jest wyposażony w obwody napędu, sterowania i ochrony IGBT. Są one łatwe do wdrożenia w systemach sterowania zasilaniem dla podzespołów prądu zmiennego, klimatyzacji i wind. Wbudowane funkcje ochrony optymalizują i wydłużają żywotność IPM IGBT, zapewniając w ten sposób wysoką niezawodność systemu. Moduły IPM są wyposażone w zabezpieczenie przed przetężeniem, zwarciem, spadkiem napięcia sterującego i przegrzewaniem, a także posiadają sygnały wyjściowe alarmów.
6MBP... Bez rozdrabniacza słomy
7MBP... Z rozdrabniaczem pokosu
7MBP... Z rozdrabniaczem pokosu
.
Moduły i dyskrecje IGBT, Fuji Electric
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 50 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalna strata mocy | 201 W |
Konfiguracja | 3-fazowe |
Typ opakowania | P 630 |
Typ montażu | Montaż na płytce drukowanej |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 25 |
Szybkość przełączania | 20kHz |
Konfiguracja tranzystora | 3-fazy |
Wymiary | 128.5 x 84 x 14mm |
Maksymalna temperatura robocza | +110°C |
Minimalna temperatura robocza | -20°C |