IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W
- Nr art. RS:
- 168-7754
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 25.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
16,86 zł
(bez VAT)
20,74 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 60 | 16,86 zł | 505,80 zł |
| 90 - 480 | 13,47 zł | 404,16 zł |
| 510 - 960 | 11,97 zł | 359,16 zł |
| 990 + | 10,13 zł | 304,02 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7754
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 168-7754
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics