IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 375 W
- Nr art. RS:
- 168-8686
- Nr części producenta:
- STGWT60H65DFB
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 25.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
12,98 zł
(bez VAT)
15,96 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 30 | 12,98 zł | 389,31 zł |
| 60 - 120 | 12,65 zł | 379,35 zł |
| 150 + | 12,33 zł | 369,87 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-8686
- Nr części producenta:
- STGWT60H65DFB
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- KR
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 650 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 375 W |
| Typ opakowania | TO-3P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |