IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220FP Pojedynczy kanał: N 25 W
- Nr art. RS:
- 168-8877
- Nr części producenta:
- STGF10NB60SD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 27.11.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
6,38 zł
(bez VAT)
7,85 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 6,38 zł | 318,95 zł |
| 100 - 200 | 5,26 zł | 262,95 zł |
| 250 + | 5,13 zł | 256,40 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-8877
- Nr części producenta:
- STGF10NB60SD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 23 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 25 W |
| Typ opakowania | TO-220FP |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10.4 x 4.6 x 20mm |
| Energia znamionowa | 8mJ |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Pojemność bramki | 610pF |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |