IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 200 W
- Nr art. RS:
- 168-8881
- Nr części producenta:
- STGW30NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics
420 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
23,12 zł
(bez VAT)
28,44 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 60 | 23,12 zł | 693,72 zł |
| 90 - 480 | 18,50 zł | 555,00 zł |
| 510 - 960 | 16,46 zł | 493,92 zł |
| 990 + | 13,90 zł | 416,97 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-8881
- Nr części producenta:
- STGW30NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 200 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 24.45mm |
| Pojemność bramki | 2170pF |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Energia znamionowa | 1435mJ |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 168-8881
- Nr części producenta:
- STGW30NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics