IGBT SIA437DJ-T1-GE3, Vishay

Nr art. RS:: 180-7780
Nr części producenta:: SIA437DJ-T1-GE3
Producent:: Vishay

2960 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 20)

2,64 zł

(bez VAT)

3,25 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
20 - 180	2,64 zł	52,80 zł
200 - 480	2,51 zł	50,22 zł
500 - 980	2,24 zł	44,88 zł
1000 - 1980	1,61 zł	32,22 zł
2000 +	1,27 zł	25,30 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 180-7780
Nr części producenta:: SIA437DJ-T1-GE3
Producent:: Vishay

Dane techniczne

Datasheet

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

Tranzystor MOSFET Vishay

Vishay do montażu powierzchniowego P-Channel PowerPAK-SC70 MOSFET to nowy produkt wiekowy o napięciu źródła odpływowego 20 V i maksymalnym napięciu źródła bramki 8 V. It ma rezystancję źródła spustu 14,5 mmohms przy napięciu źródła bramki 4,5 V. It ma maksymalne rozpraszanie mocy 19 w i ciągły prąd odpływowy 29,7 A. It ma minimalne i maksymalne napięcie jazdy odpowiednio 1,5V i 4,5 V. Ten produkt został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodnictwem. Tranzystor MOSFET zapewnia doskonałą wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności i funkcjonalności.

Charakterystyka i zalety

• Niska odporność na działanie
• nowy pakiet PowerPAK sc-70 o wzmocnionej termicznie mocy
• zakres temperatur roboczych od -50°C do 150°C.
• mały obszar zajmowania powierzchni
• TrenchFET mocy MOSFET

Zastosowania

• przełączniki adapterów
• przełączniki akumulatora
• przełączniki obciążenia
• komputery przenośne

Certyfikaty

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• testowany RG

.

Nr art. RS:: 180-7780
Nr części producenta:: SIA437DJ-T1-GE3
Producent:: Vishay

Datasheet