IGBT SI7216DN-T1-E3, Vishay
- Nr art. RS:
- 180-7922
- Nr części producenta:
- SI7216DN-T1-E3
- Producent:
- Vishay
5995 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
6,77 zł
(bez VAT)
8,33 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 45 | 6,77 zł | 33,84 zł |
| 50 - 120 | 6,03 zł | 30,15 zł |
| 125 - 245 | 4,73 zł | 23,67 zł |
| 250 - 495 | 3,92 zł | 19,62 zł |
| 500 + | 3,59 zł | 17,96 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 180-7922
- Nr części producenta:
- SI7216DN-T1-E3
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Vishay SI7216DN to dwukanałowy tranzystor MOSFET o napięciu 40V, odprowadzający do źródła (VdS). Brama do napięcia źródłowego (VGS) wynosi 20V. It ma pakiet Power PAK 1212-8. It oferuje odporność na odpływ do źródła (RDS.) 0,032 omów przy 10VGS i 0,039 omów przy 4,5 VGS. Maksymalny prąd spustowy 6A.
Moduł zasilania FET Trench MOSFET
Pakiet Power PAK o niskiej odporności termicznej o małym rozmiarze i niskim profilu 1.07 mm
100 % badanych RG i UIS
Zgodność z dyrektywą RoHS 2002/95/EC
Pakiet Power PAK o niskiej odporności termicznej o małym rozmiarze i niskim profilu 1.07 mm
100 % badanych RG i UIS
Zgodność z dyrektywą RoHS 2002/95/EC