IGBT SGW30N60FKSA1, Ic 41 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy

  • Nr art. RS 462-3102
  • Nr części producenta SGW30N60FKSA1
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Infineon tranzystory dyskretne IGBT

Dyskretne tranzystory IGBT firmy Infineon oferują różne technologie, takie jak NPT, Trenchstop™ i FieldStop. Mogą one być używane w wielu zastosowaniach, które mogą wymagać twardego lub miękkiego przełączania, w tym napędów przemysłowych, UPS, inwerterów, urządzeń domowych i gotowania indukcyjnego. Niektóre urządzenia są wyposażone w diodę przeciwrównoległą lub zintegrowaną diodę monolityczną.

Moduł IDBT - moduł Infineon

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora 41 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V
Typ opakowania TO-247
Typ montażu Otwór przezierny
Typ kanału N
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Długość 15.9mm
Szerokość 5.3mm
Wysokość 20.95mm
Wymiary 15.9 x 5.3 x 20.95mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
54 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt.
23,71
(bez VAT)
29,16
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 - 5
23,71 zł
6 - 14
15,98 zł
15 +
13,59 zł
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: