IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 428 W
- Nr art. RS:
- 754-5402
- Nr części producenta:
- IKW75N60TFKSA1
- Producent:
- Infineon
2 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
22 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
32,90 zł
(bez VAT)
40,47 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 32,90 zł |
| 5 - 9 | 31,59 zł |
| 10 - 14 | 30,56 zł |
| 15 - 19 | 29,61 zł |
| 20 + | 29,03 zł |
- Nr art. RS:
- 754-5402
- Nr części producenta:
- IKW75N60TFKSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V.
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
• Zakres napięć kolektora-emitera od 600 do 650V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 428 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 16.03 x 21.1 x 5.16mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40 °C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
- Nr art. RS:
- 754-5402
- Nr części producenta:
- IKW75N60TFKSA1
- Producent:
- Infineon