IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 290 W
- Nr art. RS:
- 759-9267
- Nr części producenta:
- FGH40N60SFDTU
- Producent:
- onsemi
24 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
40 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
20,57 zł
(bez VAT)
25,30 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 20,57 zł |
| 5 - 9 | 19,89 zł |
| 10 - 14 | 19,49 zł |
| 15 - 19 | 18,95 zł |
| 20 + | 18,41 zł |
- Nr art. RS:
- 759-9267
- Nr części producenta:
- FGH40N60SFDTU
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 290 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 759-9267
- Nr części producenta:
- FGH40N60SFDTU
- Producent:
- onsemi