IGBT Ic 40 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 340 W
- Nr art. RS:
- 772-9032P
- Nr części producenta:
- FGW40N120HD
- Producent:
- Fuji Electric
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 772-9032P
- Nr części producenta:
- FGW40N120HD
- Producent:
- Fuji Electric
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Rozbieżności IGBT Fuji Electric
.
Moduły i dyskrecje IGBT, Fuji Electric
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 40 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 340 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.9 x 5.03 x 20.95mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |