- Nr art. RS:
- 772-9222
- Nr części producenta:
- FGA25N120ANTDTU
- Producent:
- onsemi
Produkt wycofany
Produkt alternatywny
Ten produkt jest aktualnie niedostępny. Zapoznaj się z poniższym produktem alternatywnym.
- Nr art. RS:
- 772-9222
- Nr części producenta:
- FGA25N120ANTDTU
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor - tranzystory IGBT
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 50 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 312 W |
Typ opakowania | TO-3P |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Szybkość przełączania | 1MHz |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 15.8 x 5 x 18.9mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |