IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 375 W
- Nr art. RS:
- 791-7643
- Nr części producenta:
- STGW60V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics
5 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
10 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
17,75 zł
(bez VAT)
21,83 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 17,75 zł | 88,74 zł |
| 10 - 20 | 16,86 zł | 84,29 zł |
| 25 - 45 | 15,18 zł | 75,92 zł |
| 50 + | 15,08 zł | 75,42 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 791-7643
- Nr części producenta:
- STGW60V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 375 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
- Nr art. RS:
- 791-7643
- Nr części producenta:
- STGW60V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics