IGBT Ic 40 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 167 W
- Nr art. RS:
- 791-9374
- Nr części producenta:
- STGW20V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics
445 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
14,99 zł
(bez VAT)
18,43 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 14,99 zł | 74,93 zł |
| 10 - 20 | 12,96 zł | 64,80 zł |
| 25 - 95 | 12,45 zł | 62,24 zł |
| 100 - 495 | 10,15 zł | 50,76 zł |
| 500 + | 8,90 zł | 44,51 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 791-9374
- Nr części producenta:
- STGW20V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 40 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 167 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 791-9374
- Nr części producenta:
- STGW20V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics