IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 200 W
- Nr art. RS:
- 795-9198
- Nr części producenta:
- STGW30NC60WD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 28.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
20,52 zł
(bez VAT)
25,24 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 20,52 zł | 41,04 zł |
| 10 - 18 | 19,51 zł | 39,02 zł |
| 20 - 48 | 17,55 zł | 35,10 zł |
| 50 - 98 | 15,80 zł | 31,59 zł |
| 100 + | 14,99 zł | 29,97 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 795-9198
- Nr części producenta:
- STGW30NC60WD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 200 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 795-9198
- Nr części producenta:
- STGW30NC60WD
- Producent:
- STMicroelectronics