IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W
- Nr art. RS:
- 795-9209
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 24.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
22,98 zł
(bez VAT)
28,26 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 22,98 zł | 45,95 zł |
| 10 - 98 | 19,53 zł | 39,06 zł |
| 100 - 498 | 15,64 zł | 31,28 zł |
| 500 - 998 | 13,91 zł | 27,81 zł |
| 1000 + | 11,77 zł | 23,54 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 795-9209
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 795-9209
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics