- Nr art. RS:
- 795-9209P
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 24.03.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (w tubie)
20,40 zł
(bez VAT)
25,09 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
10 - 98 | 20,40 zł |
100 - 498 | 16,34 zł |
500 - 998 | 14,53 zł |
1000 + | 12,29 zł |
- Nr art. RS:
- 795-9209P
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 250 W |
Typ opakowania | TO-247 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Szybkość przełączania | 1MHz |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 795-9209P
- Nr części producenta:
- STGW39NC60VD
- Producent:
- STMicroelectronics