IGBT Ic 58 A Uce 1200 V ISOPLUS247 Pojedynczy kanał: N 195 W

Gama dyskretnych zasilaczy IGBT firmy IXYS firmy xpt™ jest wyposażona w technologię bardzo lekkiej płytki dziurkowanej, która zmniejsza odporność cieplną i straty energii. Urządzenia te oferują szybki czas przełączania przy niskim prądzie zerowym i są dostępne w różnych standardowych i zastrzeżonych pakietach branżowych.

Duża gęstość mocy i niskie VCE(SAT)
Kwadratowe odwrócone powierzchnie robocze do bezpiecznych obszarów operacyjnych (RBSOA) do znamionowego napięcia awarii
Możliwość zwarcia do zasilania 10 USEC
Dodatni współczynnik temperatury stanu włączenia
Opcjonalne, wbudowane diody Sonic-frd™ lub HiPerFRED™
Międzynarodowe standardowe i zastrzeżone zestawy wysokonapięciowe

Dyskretne moduły IGBT, IXYS

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.