IGBT Ic 55 A Uce 600 V TO-247AC Pojedynczy kanał: N 200 W

Izolowane tranzystory bipolarne (IGBT) firmy Infineon dają mnażowi szeroką gamę opcji zapewniających objęcie ich oceną. Wysoka wydajność umożliwia stosowanie tego zakresu technologii IGBT w wielu różnych zastosowaniach i może obsługiwać różne częstotliwości przełączania dzięki niskim stratom przełączania.

Zestaw IGBT z ultraszybką, miękką diodą przeciwrozproszeniową, do stosowania w konfiguracji mostów

Tranzystory IGBT, International Rectifier

International Rectifier oferuje szeroki wachlarz produktów IGBT (Transtranzystor bipolarny Bate), od 300 V do 1200 V, opartych na różnych technologiach, które minimalizują straty związane z przełączaniem i przewodzeniem w celu zwiększenia wydajności, redukcji problemów termicznych i zwiększenia gęstości mocy. Firma oferuje także szeroki zakres matryc IGBT przeznaczonych specjalnie dla modułów o średnim lub wysokim poborze mocy. W przypadku modułów wymagających najwyższej niezawodności można zastosować trwałe matryce z przodu (SFM), aby wyeliminować przewody łączące i umożliwić chłodzenie dwustronne w celu uzyskania lepszej wydajności cieplnej, niezawodności i wydajności.