IGBT Ic 60 A Uce 1300 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 500 W

Na ON Semiconductor FGH30S130P to 1300V 30A Tranzystor IGBT, przedstawiających zwarty-anoda i pole zatrzymania rowie technologies. Miękki pracującymi są idealne dla FGH30S130P, z wydajnym korzeniowym i wysoka wydajność przełączania charakterystyki. Na FGH30S130P IGBT mogą pracować w konfiguracji równoległej i oferuje wspaniałe możliwości przed lawiną.
Na FGH30S130P IGBT jest przeznaczony do stosowania w zasadzie indukcji ogrzewanie, kuchenki mikrofalowe i inne urządzenia gospodarstwa domowego.

• Aby-247 pakiet
• Duża szybkość przełączania
• Doskonała korzeniowym
• Niskie napięcie nasycenia
• Wysoka impedancja wejściowa

Dostępne wersje:
864-8849 - 2 szt.
166-3300 - tubka 30

Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.