IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220FP Pojedynczy kanał: N 25 W
- Nr art. RS:
- 877-2873
- Nr części producenta:
- STGF10NB60SD
- Producent:
- STMicroelectronics
30 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
6,38 zł
(bez VAT)
7,85 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 40 | 6,38 zł | 63,78 zł |
| 50 - 90 | 6,06 zł | 60,58 zł |
| 100 - 240 | 5,45 zł | 54,52 zł |
| 250 - 490 | 5,26 zł | 52,55 zł |
| 500 + | 5,12 zł | 51,23 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 877-2873
- Nr części producenta:
- STGF10NB60SD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 23 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 25 W |
| Typ opakowania | TO-220FP |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10.4 x 4.6 x 20mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Pojemność bramki | 610pF |
| Energia znamionowa | 8mJ |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |