IGBT Ic 40 A Uce 1800 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 375 W
- Nr art. RS:
- 891-2746
- Nr części producenta:
- GT40WR21,Q(O
- Producent:
- Toshiba
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 891-2746
- Nr części producenta:
- GT40WR21,Q(O
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Moduł IGBT dyskretes Toshiba
.
Moduł IGBT, moduł i moduły, Toshiba
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 40 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1800 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±25V |
| Maksymalna strata mocy | 375 W |
| Typ opakowania | TO-3P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1.8MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Pojemność bramki | 4500pF |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C |
- Nr art. RS:
- 891-2746
- Nr części producenta:
- GT40WR21,Q(O
- Producent:
- Toshiba