IGBT Ic 41 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N
- Nr art. RS:
- 911-4767
- Nr części producenta:
- SGW30N60FKSA1
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 911-4767
- Nr części producenta:
- SGW30N60FKSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon tranzystory dyskretne IGBT
Dyskretne tranzystory IGBT firmy Infineon oferują różne technologie, takie jak NPT, Trenchstop™ i FieldStop. Mogą one być używane w wielu zastosowaniach, które mogą wymagać twardego lub miękkiego przełączania, w tym napędów przemysłowych, UPS, inwerterów, urządzeń domowych i gotowania indukcyjnego. Niektóre urządzenia są wyposażone w diodę przeciwrównoległą lub zintegrowaną diodę monolityczną.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 41 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.9 x 5.3 x 20.95mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 911-4767
- Nr części producenta:
- SGW30N60FKSA1
- Producent:
- Infineon