IGBT SGW30N60FKSA1, Ic 41 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy

  • Nr art. RS 911-4767
  • Nr części producenta SGW30N60FKSA1
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Infineon tranzystory dyskretne IGBT

Dyskretne tranzystory IGBT firmy Infineon oferują różne technologie, takie jak NPT, Trenchstop™ i FieldStop. Mogą one być używane w wielu zastosowaniach, które mogą wymagać twardego lub miękkiego przełączania, w tym napędów przemysłowych, UPS, inwerterów, urządzeń domowych i gotowania indukcyjnego. Niektóre urządzenia są wyposażone w diodę przeciwrównoległą lub zintegrowaną diodę monolityczną.

Moduł IDBT - moduł Infineon

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora 41 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V
Typ opakowania TO-247
Typ montażu Otwór przezierny
Typ kanału N
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Długość 15.9mm
Szerokość 5.3mm
Wysokość 20.95mm
Wymiary 15.9 x 5.3 x 20.95mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Minimalna temperatura robocza -55°C
270 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 30)
20,10
(bez VAT)
24,73
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
30 - 120
20,10 zł
603,09 zł
150 - 270
17,49 zł
524,67 zł
300 +
16,57 zł
496,98 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa