Tranzystor polowy złączowy, P-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 112-5510
- Nr części producenta:
- PMBFJ177,215
- Producent:
- NXP
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 112-5510
- Nr części producenta:
- PMBFJ177,215
- Producent:
- NXP
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-channel JFET, NXP
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 1.5 to 20mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | +30 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 30V |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 300 omów |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Liczba styków | 3 |
| Wymiary | 3 x 1.4 x 1mm |
| Szerokość | 1.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Minimalna temperatura robocza | -65 °C |
| Długość | 3mm |
| Wysokość | 1mm |
- Nr art. RS:
- 112-5510
- Nr części producenta:
- PMBFJ177,215
- Producent:
- NXP