Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

Tranzystory JFET

Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu Min. 5mA
Maksymalne napięcie bramka-źródło -35 V
Maksymalne napięcie dren-bramka 35V
Konfiguracja Pojedyncza
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalna rezystancja dren-źródło 50 omów
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia 28pF
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia 28pF
Wymiary 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Szerokość 1.3mm
Wysokość 0.93mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Długość 2.92mm
12000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,36
(bez VAT)
0,44
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,36 zł
1 080,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa