Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy,

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 12 → 30mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 25 V
Konfiguracja Pojedyncza
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia 5pF
Wymiary 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Szerokość 1.4mm
Wysokość 1.01mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 3.04mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
6000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
Było 2 216,55 zł
0,48
(bez VAT)
0,59
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,48 zł
1 437,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa