- Nr art. RS:
- 166-0548
- Nr części producenta:
- PMBFJ308,215
- Producent:
- NXP
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 166-0548
- Nr części producenta:
- PMBFJ308,215
- Producent:
- NXP
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, NXP
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 12 to 60mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V |
Maksymalne napięcie dren-bramka | -25V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 50 omów |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOT-23 (TO-236AB) |
Liczba styków | 3 |
Wymiary | 3 x 1.4 x 1mm |
Długość | 3mm |
Minimalna temperatura robocza | -65°C |
Szerokość | 1.4mm |
Wysokość | 1mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |