- Nr art. RS:
- 170-3357
- Nr części producenta:
- MMBFJ310LT1G
- Producent:
- onsemi
12000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,46 zł
(bez VAT)
0,57 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
3000 + | 0,46 zł | 1 389,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 170-3357
- Nr części producenta:
- MMBFJ310LT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Nie dotyczy
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, ON Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 24 to 60mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | +25 V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOT-23 |
Liczba styków | 3 |
Wymiary | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
Wysokość | 0.94mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 1.3mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Długość | 2.9mm |
- Nr art. RS:
- 170-3357
- Nr części producenta:
- MMBFJ310LT1G
- Producent:
- onsemi