Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 179-1061
- Nr części producenta:
- PMBFJ309,215
- Producent:
- NXP
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 179-1061
- Nr części producenta:
- PMBFJ309,215
- Producent:
- NXP
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, NXP
Uwaga
NXP jest znakiem NXP B.V.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 12 to 30mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | -25V |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 50 omów |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 (TO-236AB) |
| Liczba styków | 3 |
| Wymiary | 3 x 1.4 x 1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C |
| Wysokość | 1mm |
| Szerokość | 1.4mm |
| Długość | 3mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |