Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 625-5723
- Nr części producenta:
- MMBF4391LT1G
- Producent:
- onsemi
25 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
1060 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
1,50 zł
(bez VAT)
1,85 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 45 | 1,50 zł | 7,52 zł |
| 50 - 95 | 1,43 zł | 7,16 zł |
| 100 - 245 | 1,22 zł | 6,08 zł |
| 250 - 495 | 1,13 zł | 5,63 zł |
| 500 + | 1,04 zł | 5,18 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 625-5723
- Nr części producenta:
- MMBF4391LT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, ON Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 50 to 150mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | +30 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 30V |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 30 Ω |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Liczba styków | 3 |
| Wymiary | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 0.94mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Długość | 2.9mm |
| Szerokość | 1.3mm |
- Nr art. RS:
- 625-5723
- Nr części producenta:
- MMBF4391LT1G
- Producent:
- onsemi