Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy

  • Nr art. RS 626-2282
  • Nr części producenta BF510,215
  • Producent NXP
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, NXP

Tranzystory JFET

Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 0.7 → 3.0mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Maksymalne napięcie dren-bramka 20V
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Konfiguracja Pojedyncza
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23 (TO-236AB)
Liczba styków 3
Wymiary 3 x 1.4 x 1mm
Minimalna temperatura robocza -65 °C
Szerokość 1.4mm
Wysokość 1mm
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Długość 3mm
8420 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 10)
2,66
(bez VAT)
3,28
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 - 10
2,66 zł
26,64 zł
20 - 40
2,53 zł
25,31 zł
50 - 90
2,41 zł
24,06 zł
100 - 190
1,69 zł
16,86 zł
200 +
1,60 zł
16,04 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: