Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy, -55 → +150°C

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 24 → 60mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 25 V
Konfiguracja Pojedyncza
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia 5pF
Wymiary 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Wysokość 1.01mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 3.04mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Szerokość 1.4mm
160 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
350 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 10)
Było 9,46 zł
0,41
(bez VAT)
0,50
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 +
0,41 zł
4,09 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: