Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 773-7819
- Nr części producenta:
- MMBFJ309LT1G
- Producent:
- onsemi
18720 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
0,33 zł
(bez VAT)
0,40 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 + | 0,33 zł | 3,28 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 773-7819
- Nr części producenta:
- MMBFJ309LT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, ON Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 12 to 30mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Liczba styków | 3 |
| Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 5pF |
| Wymiary | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 3.04mm |
| Wysokość | 1.01mm |
| Szerokość | 1.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 773-7819
- Nr części producenta:
- MMBFJ309LT1G
- Producent:
- onsemi