Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Otwór przezierny, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 806-1757
- Nr części producenta:
- J112
- Producent:
- onsemi
150 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
300 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 50)
1,40 zł
(bez VAT)
1,73 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 50 - 450 | 1,40 zł | 70,20 zł |
| 500 + | 0,67 zł | 33,65 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 806-1757
- Nr części producenta:
- J112
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 5mA |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -35 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 35V |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 50 omów |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ opakowania | TO-92 |
| Liczba styków | 3 |
| Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 28pF |
| Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 28pF |
| Wymiary | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 5.33mm |
| Długość | 5.2mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 4.19mm |