MOSFET P-kanałowy PMV65XP,215 20 V 3.9 A 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) SMD Pojedynczy Si

  • Nr art. RS 134-295
  • Nr części producenta PMV65XP,215
  • Producent Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

MOSFET P-Nexperia

Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 3.9 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Typ opakowania SOT-23 (TO-236AB)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 76 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 0.9V
Minimalne napięcie progowe VGS 0.47V
Maksymalna strata mocy 1.92 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Liczba elementów na układ 1
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Materiał tranzystora Si
Szerokość 1.4mm
Długość 3mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Wysokość 1mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 7,6 nC przy 4,5 V
150 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
1450 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 50)
1,34
(bez VAT)
1,65
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
50 - 550
1,34 zł
67,00 zł
600 - 1450
0,72 zł
36,05 zł
1500 +
0,57 zł
28,35 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: