MOSFET N-kanałowy 450 mA E-Line 60 V Pojedynczy 700 mW 2 omy
- Nr art. RS:
- 263-857
- Nr części producenta:
- ZVN2106A
- Producent:
- DiodesZetex
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 28.05.2024, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
4,04 zł
(bez VAT)
4,97 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 45 | 4,04 zł | 20,21 zł |
| 50 - 195 | 2,69 zł | 13,46 zł |
| 200 - 995 | 2,23 zł | 11,16 zł |
| 1000 - 1995 | 1,96 zł | 9,81 zł |
| 2000 + | 1,72 zł | 8,60 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 263-857
- Nr części producenta:
- ZVN2106A
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MOSFET, od 40 V do 90 V, Diody Inc
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 450 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | E-Line |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 2 omy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.4V |
| Maksymalna strata mocy | 700 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 2.41mm |
| Długość | 4.77mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 4.01mm |
- Nr art. RS:
- 263-857
- Nr części producenta:
- ZVN2106A
- Producent:
- DiodesZetex