MOSFET N-kanałowy 21 A TO-220 200 V Pojedynczy 125 W 130 miliomów
- Nr art. RS:
- 298-342
- Nr części producenta:
- BUZ30AHXKSA1
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
Produkt alternatywny
Ten produkt jest aktualnie niedostępny. Zapoznaj się z poniższym produktem alternatywnym.
- Nr art. RS:
- 298-342
- Nr części producenta:
- BUZ30AHXKSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 21 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 130 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Maksymalna strata mocy | 125 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.4mm |
| Długość | 10mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 9.25mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Seria | SIPMOS |
- Nr art. RS:
- 298-342
- Nr części producenta:
- BUZ30AHXKSA1
- Producent:
- Infineon