MOSFET N-kanałowy 210 A TO-220AB 60 V Pojedynczy 300 W 3 miliomy
- Nr art. RS:
- 495-574
- Nr części producenta:
- IRFB3206PBF
- Producent:
- Infineon
46 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
262 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
7,14 zł
(bez VAT)
8,78 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 7,14 zł |
| 10 - 49 | 6,72 zł |
| 50 - 99 | 6,25 zł |
| 100 - 249 | 5,83 zł |
| 250 + | 5,45 zł |
- Nr art. RS:
- 495-574
- Nr części producenta:
- IRFB3206PBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor MOSFET, Infineon, sterowanie silnikiem i przemienny prostownik prostowniczy AC-DC
MOSFET kontroli silnika
Infineon oferuje kompleksową ofertę wytrzymałych urządzeń N-channel i P-channel MOSFET do sterowania silnikami.
Tranzystor synchroniczny MOSFET
Oferta synchronicznych urządzeń rektyfikacyjnych MOSFET do zasilaczy AC-DC zaspokaja potrzeby klientów w zakresie większej gęstości mocy, mniejszej wielkości, przenośności i bardziej elastycznych systemów.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 210 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 3 miliomy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 300 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 120 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.83mm |
| Długość | 10.67mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Wysokość | 9.02mm |
| Seria | HEXFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 495-574
- Nr części producenta:
- IRFB3206PBF
- Producent:
- Infineon