MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 600 V Pojedynczy 140 W 165 mΩ
- Nr art. RS:
- 103-1991
- Nr części producenta:
- STW26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 01.05.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
23,33 zł
(bez VAT)
28,70 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 30 - 60 | 23,33 zł | 700,02 zł |
| 90 - 480 | 18,67 zł | 559,98 zł |
| 510 - 960 | 16,59 zł | 497,67 zł |
| 990 + | 14,05 zł | 421,38 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 103-1991
- Nr części producenta:
- STW26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 165 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 140 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 60 nC przy 10 V |
| Długość | 15.75mm |
| Szerokość | 5.15mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 20.15mm |
| Seria | MDmesh |
- Nr art. RS:
- 103-1991
- Nr części producenta:
- STW26NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics