MOSFET P-kanałowy 3 A SOT-223 30 V SMD Pojedynczy 1,65 W 250 miliomów
- Nr art. RS:
- 103-8317
- Nr części producenta:
- BSP250,115
- Producent:
- Nexperia
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (1000 na rolce)
1,53 zł
(bez VAT)
1,88 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 1000 + | 1,53 zł | 1 528,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 103-8317
- Nr części producenta:
- BSP250,115
- Producent:
- Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOT-223 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 250 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.8V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 1,65 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 3.7mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 10 nC przy 10 V |
| Długość | 6.7mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C |
| Wysokość | 1.7mm |
- Nr art. RS:
- 103-8317
- Nr części producenta:
- BSP250,115
- Producent:
- Nexperia