MOSFET N-kanałowy 80 A D2PAK-7 49 V SMD Pojedynczy 300 W 9,5 milioma
- Nr art. RS:
- 110-7112
- Nr części producenta:
- BTS282ZE3180AATMA2
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 110-7112
- Nr części producenta:
- BTS282ZE3180AATMA2
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Nie dotyczy
Szczegółowe dane produktu
Infineon TEMPFET™ MOSFET z przełącznikiem termostatycznym
Infineon TEMPFET™ to tranzystor mocy N-kanałowej MOSFET z wbudowanym czujnikiem termicznym, który będzie działać, gdy temperatura chipa przekroczy 160°C. Anoda i katoda czujnika temperatury, dostępne i izolowane od elektrycznego MOSFET.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 80 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 49 V |
| Typ opakowania | D2PAK-7 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 7 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 9,5 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.2V |
| Maksymalna strata mocy | 300 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 9.25mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 155 nC przy 10 V |
| Długość | 10mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Wysokość | 4.4mm |
| Seria | TEMPFET |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.4V |
- Nr art. RS:
- 110-7112
- Nr części producenta:
- BTS282ZE3180AATMA2
- Producent:
- Infineon