MOSFET P-kanałowy 10 A DPAK 60 V Pojedynczy 20 W 240 mΩ
- Nr art. RS:
- 121-6880P
- Nr części producenta:
- 2SJ529L-E
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (w tubie)
7,28 zł
(bez VAT)
8,95 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 20 - 36 | 7,28 zł |
| 40 - 196 | 6,29 zł |
| 200 - 396 | 5,05 zł |
| 400 + | 4,19 zł |
- Nr art. RS:
- 121-6880P
- Nr części producenta:
- 2SJ529L-E
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | DPAK |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 240 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 20 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 6.5mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 2.3mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |
| Wysokość | 7.2mm |
- Nr art. RS:
- 121-6880P
- Nr części producenta:
- 2SJ529L-E
- Producent:
- Renesas Electronics