- Nr art. RS:
- 121-6898
- Nr części producenta:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (opak. á 2)
13,04 zł
(bez VAT)
16,03 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
2 - 8 | 13,04 zł | 26,07 zł |
10 - 18 | 11,19 zł | 22,37 zł |
20 - 98 | 9,78 zł | 19,55 zł |
100 - 198 | 7,84 zł | 15,67 zł |
200 + | 6,52 zł | 13,04 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 121-6898
- Nr części producenta:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- KR
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET pod wysokim napięciem - 150 V i więcej, firmy Renesas Electronics
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
Typ opakowania | TO-220FP |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 920 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalna strata mocy | 30 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | +30 V |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 30 nC przy 10 V |
Długość | 10.16mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Materiał tranzystora | Si |
Liczba elementów na układ | 1 |
Szerokość | 4.7mm |
Napięcie przewodzenia diody | 1.5V |
Wysokość | 15.87mm |