MOSFET N-kanałowy ZXMS6005DGTA 70 V 2 A 3 + Tab-Pin SOT-223 SMD IntelliFET Pojedynczy Si

  • Nr art. RS 121-9494
  • Nr części producenta ZXMS6005DGTA
  • Producent DiodesZetex
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: DE
Szczegółowe dane produktu

Zabezpieczone samorzutnie tranzystory MOSFET IntelliFET, Diodes Inc

IntelliFET to zabezpieczone przed autotestem tranzystory MOSFET, które łączą w sobie pełną gamę obwodów zabezpieczających przed ESD (ang. Electrostatic Sensitive Device), nadmiernym prądem, zbyt wysokim napięciem i zbyt wysoką temperaturą.

Zabezpieczenie przed zwarciem z funkcją automatycznego ponownego uruchamiania
Zabezpieczenie przed przepięciem (aktywny zacisk)
Zabezpieczenie przed nadmiernym prądem
Ochrona wejścia (ESD)
Wysoki prąd ciągły
Zabezpieczenie przed rozładowaniem ładunku
Wejście poziomu logicznego

Tranzystory MOSFET, Diody Inc.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 70 V
Typ opakowania SOT-223
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 3 + Tab
Maksymalna rezystancja dren-źródło 250 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 1.5V
Maksymalna strata mocy 3 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba elementów na układ 1
Minimalna temperatura robocza -40°C
Wysokość 1.65mm
Seria IntelliFET
Maksymalna temperatura robocza +125°C
Długość 6.55mm
Materiał tranzystora Si
Szerokość 3.55mm
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 07.07.2020, dostawa w ciągu 2 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (1000 na rolce)
1,41
(bez VAT)
1,73
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
1000 +
1,41 zł
1 409,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa